| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SI2393DS-T1-GE3-HXY 30V 9.5A 20mΩ@10V 3W
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SI2393DS-T1-GE3-HXY
标记：
封装：SOT-23-3L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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495
起订 |
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SI2369BDS-T1-GE3-HXY 30V 9.5A 27mΩ@4.5V 3W
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SI2369BDS-T1-GE3-HXY
标记：
封装：SOT-23-3L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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495
起订 |
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AOD508-HXY 30V 160A 2.3mΩ@10V 87W
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AOD508-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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495
起订 |
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NTD5867NLT4G-HXY 1个N沟道 60V 20A 32mΩ@10V
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NTD5867NLT4G-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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495
起订 |
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IRFR024NPBF-HXY 1个N沟道 60V 20A 32mΩ@10V
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IRFR024NPBF-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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495
起订 |
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BSC520N15NS3G 1个N沟道 150V 21A 52mΩ@10V
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BSC520N15NS3G
标记：
封装：TDSON-8-EP(5x6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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495
起订 |
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MS05N250HGE0 1个N沟道 2.5kV 500mA 45Ω@10V
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MS05N250HGE0
标记：
封装：TO-263
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MASPOWER(麦思浦) |
批号：
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495
起订 |
