| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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AON1606-HXY 1个N沟道 20V 700mA 420mΩ@2.5V
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AON1606-HXY
标记：
封装：DFN1006-3L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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480
起订 |
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FDS6990AS-HXY 2个N沟道 30V 8.5A 28mΩ@4.5V
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FDS6990AS-HXY
标记：
封装：SOP-8
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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480
起订 |
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DMG3401LSN-HXY 1个P沟道 30V 6A 55mΩ@4.5V
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DMG3401LSN-HXY
标记：
封装：SOT-23
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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480
起订 |
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IPD25N06S4L-30 1个N沟道 60V 23mΩ@10V
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IPD25N06S4L-30
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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480
起订 |
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IPD25N06S4L-30 1个N沟道 60V 23mΩ@10V
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IPD25N06S4L-30
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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480
起订 |
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SI2333DS-T1-GE3 1个P沟道 20V 4.2A 30mΩ@4.5V
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SI2333DS-T1-GE3
标记：
封装：SOT23-3
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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480
起订 |
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KIA2803AB 1个N沟道 30V 150A 4mΩ@4.5V
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KIA2803AB
标记：
封装：TO-263-2
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KIA |
批号：
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480
起订 |
