| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HFDD5614P 60V 20A 100mΩ@4.5V 40W
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HFDD5614P
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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95
起订 |
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HPHD97NQ03LT118 1个N沟道 30V 80A 6.8mΩ@10V
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HPHD97NQ03LT118
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
95
起订 |
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IRFR3709ZTRPBF-HXY 1个N沟道 30V 80A 6.8mΩ@10V
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IRFR3709ZTRPBF-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
95
起订 |
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HSQD23N0631LT4GE3 60V 20A 32mΩ@10V 34.7W
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HSQD23N0631LT4GE3
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
95
起订 |
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IAUZ30N10S5L240 1个N沟道 100V 30A 24mΩ@10V
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IAUZ30N10S5L240
标记：
封装：TSDSON-8(3.3x3.3)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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95
起订 |
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IPN60R1K0CE 1个N沟道 600V 6.8A 1Ω@10V
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IPN60R1K0CE
标记：
封装：SOT-223-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
95
起订 |
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BSP317P H6327 1个P沟道 250V 430mA 1.8W
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BSP317P H6327
标记：
封装：SOT-223-4
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
95
起订 |
