| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HXY60N02D 1个N沟道 20V 60A 9mΩ@4.5V
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HXY60N02D
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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990
起订 |
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IPB65R310CFD 1个N沟道 650V 11.4A 310mΩ@10V
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IPB65R310CFD
标记：
封装：TO-263
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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990
起订 |
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IPB110N20N3LF 1个N沟道 200V 11mΩ@10V
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IPB110N20N3LF
标记：
封装：TO-263-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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990
起订 |
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IPB180P04P4L-02 1个P沟道 40V 180A 2.4mΩ@10V
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IPB180P04P4L-02
标记：
封装：TO-263-7
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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990
起订 |
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SSP40N02GNK
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SSP40N02GNK
标记：
封装：PDFN-8L(5x6)
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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990
起订 |
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FDC5614P 1个P沟道 60V 3.3A 96mΩ@10V
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FDC5614P
标记：
封装：SOT-23-6
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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990
起订 |
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MPG40N10P 1个N沟道 100V 40A 30mΩ@10V
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MPG40N10P
标记：
封装：TO-220
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minos(迈诺斯) |
批号：
|
990
起订 |
