| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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GC3M0060065D 1个N沟道 650V 29A 150W
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GC3M0060065D
标记：
封装：TO247-3
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SUPSiC(国晶微半导体) |
批号：25+
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94
起订 |
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GC2M0040120D 1个N沟道 1200V 55A 278W
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GC2M0040120D
标记：
封装：TO-247-3
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SUPSiC(国晶微半导体) |
批号：25+
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94
起订 |
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GC2M0160120K 1个N沟道 1200V 18A 125W
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GC2M0160120K
标记：
封装：TO-247-4
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SUPSiC(国晶微半导体) |
批号：25+
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94
起订 |
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HIGLR60R260D1 1个N沟道 650V 160mΩ@6V
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HIGLR60R260D1
标记：
封装：DFN-8(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：25+
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94
起订 |
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XB2-BA31C (ZB2BZ101C+ZB2BA3C)
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XB2-BA31C (ZB2BZ101C+ZB2BA3C)
标记：
封装：-
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施耐德 |
批号：25+
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94
起订 |
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IRM-45-12
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IRM-45-12
标记：
封装：DIP,87x52mm
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MW(明纬) |
批号：25+
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94
起订 |
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XT90(2+2)-M.G.Y 插头 40-50A
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XT90(2+2)-M.G.Y
标记：
封装：-
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AMASS(艾迈斯) |
批号：25+
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94
起订 |
