| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -120V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type high voltage； excellent hFE linearity； high hFE； low noise； complement to 2sc4117 |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 高电压; HFE出色的线性度; HFE高; 噪音低; 补充2sc4117 |