| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -2.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 400MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -220mV/-0.22V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features · Adoption of FBET processes. · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Small size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 | PNP外延平面硅晶体管 特点 ·采用的FBET过程。 ·大电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·体积小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |