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商品参数:

  • 型号:2SA812H
  • 厂家:NEC
  • 批号:02+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:M6
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−100mA/-0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 180MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar type Features Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain High Voltage
描述与应用PNP硅外延平面型 特点 互补型2SC1623 高DC电流增益 高电压
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SA812H
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