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  • 型号：2SJ324
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J324
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.18Ω @-1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ324
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