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商品参数:

  • 型号:2SK1961
  • 厂家:SANYO
  • 批号:05+
  • 整包数量:700
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K1961
  • 封装:T0-252
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage15v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current40~75ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -1.2~-4.5v
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET Applications High-frequency low-noise amp applications Features Adoption of FBET process Very low noise figure
描述与应用硅N沟道结型场效应晶体管应用 高频低噪声放大器的应用 特点 采纳FBET过程 非常低的噪声图
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1961
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