2SK2569ZN N沟道MOSFET 50V 400mA/0.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZN 低导通电阻/2.5V栅极驱动器/小型封装|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2569ZN N沟道MOSFET 50V 400mA/0.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZN 低导通电阻/2.5V栅极驱动器/小型封装

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型号：2SK2569ZN
厂家：HITACHI
批号：05+ 05+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZN
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2.0Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Silicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance 2.5V gate drive device Small package (MPAK)
描述与应用	硅N沟道MOS FET 低频电源开关特性硅N沟道MOS FET 低导通电阻 2.5V栅极驱动器小型封装（MPAK）

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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