G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

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型号：G2306
厂家：GTM
批号：07NOPB 07NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：2306
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12v
最大漏极电流Id Drain Current	5.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.03Ω/Ohm @5.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.38W
Description & Applications	ԦCapable of 2.5V gate drive ԦLower on-resistance ԦReliable and Rugged
描述与应用	能够在2.5V栅极驱动低导通电阻可靠耐用

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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