请先登录
首页
购物车0
库存150件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI3900DV
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：OOL
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance200mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率PdPower Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用双N沟道 20-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI3900DV
*主题：
详细内容：
*验证码：