| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 150mA/0.15A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 70~700 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features • NPN Silicon Transistor • Low collector saturation voltage : VCE=0.4V(Max.) • Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) • Complementary pair with STA1037 Description • General small signal amplifier |
| 描述与应用 | 特点 •NPN硅晶体管 •低集电极饱和电压VCE= 0.4V（最大） •低输出电容：COB=2PF（典型值） •互补配对STA1037 描述 •一般的小信号放大器 |