| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
100~320 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features • NPN Silicon Transistor • PC(Collector dissipation)=2W(Ceramic substate of 40×40×0.8mm used) • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.15V(Typ.) • Complementary pair with STB1132 Descriptions • Medium power amplifier application |
| 描述与应用 |
特点 •NPN硅晶体管 •PC（集电极耗散）=2W（40×40×0.8毫米的陶瓷子） •低集电极饱和电压VCE（星期六）=0.15V（典型值） •互补配对STB1132 简述 •中等功率放大器中的应用 |