产品描述(2SK1830 KI) http://www.1688eric.com/product.aspx?id=352329
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
50mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
20Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装 |
| 描述与应用 |
特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装 |
产品描述(2SC5108-Y MC) http://www.1688eric.com/product.aspx?id=351137
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
30mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
6Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率PcPower Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
SILICON NPN EPITAXIAL transistor type VCO application |
| 描述与应用 |
硅NPN外延晶体管类型 VCO应用 |
