2SA1417T PNP三极管 -120V -2A 120MHz 200~400 -220mV/-0.22V SOT-89/PCP marking/标记 AST 高击穿电压/高速开关
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −100V |
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -2A |
截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | -220mV/-0.22V |
耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
Description & Applications | PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. |
描述与应用 | PNP/ NPN外延平面硅晶体管高压开关的应用 特点 ·采用FBET,MBIT过程。 ·高击穿电压和大电流的能力。 ·快速开关时间。 ·体积非常小,因此很容易提供高密度,小尺寸的混合集成电路。 |
规格书PDF |