2SB1132L PNP三极管 -40V -1A 150MHz 82~390 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 marking/标记 B1132L
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Medium Power Transistor Features Low VCE(sat). |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 低VCE（饱和）。 |
| 规格书PDF |
