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2SB1132L PNP三极管 -40V -1A 150MHz 82~390 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 marking/标记 B1132L

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−32V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)82~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage−500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium Power Transistor Features Low VCE(sat).
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点  低VCE(饱和)。
规格书PDF
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