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2SB815B6 PNP三极管 -20V -700mA/-0.7A 250MHz 200~400 -60mV SOT-23/CP marking/标记 B6 大电流/低饱和电压

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)−20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−15V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)250MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-60mV
耗散功率PcPoWer Dissipation200mW/0.2W
Description & Applicationssilicon (PNP/NPN) Epitaxial planar transistors large current capacity and low saturation voltage
描述与应用硅(PNP/ NPN)外延平面晶体管 大电流能力和低饱和电压
规格书PDF
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