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2SC5069 NPN三极管 30V 2A 260MHz 800~3200 150mV/0.15V SOT-89/PCP marking/标记 CU

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)260MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)800~3200
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage150mV/0.15V
耗散功率PcPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications Features •NPN Epitaxial planar silicon transistor •high current capacity ••adoption of MBIT process •high DC current gain •low collector-to-emitter saturation voltage •high Vebo
描述与应用特点 •NPN外延平面硅晶体管 •高电流容量 •通过MBIT过程 •高直流电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高VEBO
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