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2SC5186 NPN三极管 5V 30mA 11GHz 70~140 SOT-523 marking/标记 86 低噪声微波放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)2V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)30mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)11GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)70~140
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation90mW
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Ultra Super Mini-Mold package
描述与应用NPN外延硅晶体管超超小型模具包装 低噪声微波放大 特点 •低噪声 NF= 1.3 dB(典型值)。 @ VCE= 2 V,IC =3毫安,F =2吉赫 NF= 1.3 dB(典型值)。 @ VCE= 1 V,IC =3毫安,F =2吉赫 •超超级迷你模具包装
规格书PDF
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