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2SD1622T NPN三极管 60V 1A 150MHz 200~400 120mV/0.12V SOT-89/PCP marking/标记 DET 低频功率放大器放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage120mV/0.12V
耗散功率PcPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planer type darlington low frequency power amp amplification Features * very small size making it easy to provide high density hybird ics * adoption of FBET processes
描述与应用NPN硅外延平面型达林顿 低频功率放大器放大 特点 *非常小的尺寸使其易于提供高密度摄录ICS *采用的FBET过程
规格书PDF
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