2SD2195 达林顿 NPN Vcbo=100v Vceo=100v Ic=2A HEF=1000~10000 SOT-89 标记/MARKING DP
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
100v |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
1000~10000 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
2W |
| 描述与应用 Description & Applications |
功率晶体管(100 v,2)
特性
1)达灵顿连接直流电流增益高。
2)内置基地和发射极之间的电阻。
3)内置阻尼二极管
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