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2SD2199R-TSD-DR NPN三极管 60V 7A 10MHz 100~200 400mV/0.4V SMP-FD marking/标记 D2199 开关

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)7A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)10MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100~200
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage400mV/0.4V
耗散功率PcPower Dissipation1.65W
Description & Applications*PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor *50V/7A switching applications *NPN Epitaxial planar silicon transistors *surface mount type device making the following possible *low collector to emitter saturation voltage *highly resistant to breakdown because of wide ASO
描述与应用*PNP/ NPN平面外延硅晶体管 *50V/7A开关应用 *以下可能的NPN外延平面硅晶体管 *表面贴装型器件 *集电极到发射极饱和电压低 *具有很高的耐击穿,因为宽ASO
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