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2SD999 NPN三极管 Vcbo=30V Vceo=25v Ic= 1A ft=130MHz HFE= 135~270 Vce=210mV/0.21V SOT-89 marking/标记 CL

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 130MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 135~270
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 210mV/0.21V
耗散功率PcPower Dissipation 2W
Description & Applications NPN Silicon epitaxial transistor power Mini Mold low collector saturation voltage :Vce<0.4v excellent DC current gain linearity :hFE =140 complement to PNP type 2SB798
描述与应用 NPN硅外延晶体管电源小型模具 低集电极饱和电压VCE<0.4V 优良的直流电流增益线性度:HFE= 140 补充PNP型2SB798
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