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2SJ132-Z-T1 P沟道MOS功率场效应管 -30V 2A 0.25ohm SOT-252 marking/标记 J132 用于开关电路

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.25Ω -1A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR P-CHANNEL POWER MOSFET FOR SWITCHING Gate drive available at logic level (VGS = −4 V) High current control available in small dimension due to low RDS(on) (≅ 0.25 Ω) 2SJ132-Z is a lead process product and is ideal for mounting a hybrid IC
描述与应用MOS场效应功率晶体管 P沟道功率MOSFET 用于开关 栅极驱动逻辑电平(VGS=-4 V) 高电流控制由于在小尺寸,低RDS(on)(≅0.25Ω) 2SJ132-Z是一款铅工艺产品,非常适合安装一个混合IC
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