2SJ574BP P沟道MOS场效应管 -30V 300mA/0.3A 1.1ohm SOT-23 marking/标记 BP 低导通电阻 超高速开关 4V驱动
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -0.3A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 1.1Ω @-150mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.3--2.3V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | Features •Low on-resistance RDS = 1.1 typ. (VGS= -10 V , ID = -150 mA) RDS= 2.2 typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) •4 V gate drive device. •Small package (MPAK) |
| 描述与应用 | •低导通电阻 RDS=1.1（典型值）。 （VGS=-10V，ID= -150毫安） RDS=2.2（典型值）。 （VGS=-4 V，ID= -150毫安） •4 V栅极驱动装置。 •小型封装（MPAK） |
| 规格书PDF |
