2SJ621 P沟道MOS场效应管 -12V 3.5A 0.035ohm SOT-23 marking/标记 XG 低导通电阻 高速开关
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -3.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.035Ω @-2A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.45--1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 44 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.0 A) RDS(on)2 = 56 mΩ MAX. (VGS = –3.0 V, ID = –2.0 A) RDS(on)3 = 62 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.0 A) RDS(on)4 = 105 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A) |
| 描述与应用 | •1.8 V可驱动 •低通态电阻 的RDS（on）1 =44mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID= -2.0） 的RDS（on）=56mΩ最大。 （VGS=-3.0 V，ID= -2.0ấ） 的RDS（on）=62mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID= -2.0ấ） 的RDS（on）= 105mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.5“） |
| 规格书PDF |
