2SK1579 N沟道MOSFET 12V 2A SOT-89 marking/标记 DY 高速功率开关/低导通电阻/高速开关/用于低电压操作
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 7V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.25Ω/Ohm @1A,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.4-1.4V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High speed power switching Features High speed power switching Low on-resistance High speed switching Suitable for low voltage operation |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 适用于低电压操作 |
| 规格书PDF |
