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2SK198-Q N沟道结型场效应管 30v 2~6mA SOT-23 marking/标记 10Q 低频放大

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current 2~6ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用 硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型
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