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2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记 高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.6Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsN-CHANNEL MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用N沟道MOS-FET 特性 N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 无二次击穿 低驱动功率 高电压 VGS=±30V保证 防雪崩
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