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2SK2570ZL N沟道MOSFET 20V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZL 低导通电阻/2.5V栅极驱动器/小型封装

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.8Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance 2.5V gate drive device Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 2.5V栅极驱动器 小型封装(MPAK)
规格书PDF
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