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2SK374-R N沟道结型场效应管 55v 2~6.5mA SOT-23 marking/标记 2BR 低频放大

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage55v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -55v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current2~6.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -5v
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •For switching Features lLow noise-figure (NF) lHigh gate to drain voltage VGDO lMini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •切换功能 LLOW噪声系数(NF) lHigh栅漏电压VGDO lMini型封装,让瘦身套和自动 通过插入磁带/盒包装
规格书PDF
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