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3SK309 MESFET-N沟道 6V 40mA -0.2V -- -1.5V SOT-323 marking/标记 XV 高频应用/低噪点

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current40mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.2V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsGaAs N Channel Dual Gate MES FET. UHF RF Amplifier. Features: . Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) . Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) . High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)
描述与应用砷化镓N沟道双栅MES FET。 UHF射频放大器。 特点: .能低电压工作(VDS= 1.5到3 V) .优越的低噪点特性(NF= 1.25 dB(典型值),在f =900兆赫) .高功率增益(PG=21.0 dB(典型值),在f =900兆赫)
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