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AO7400 N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-323/SC-70 marking/标记 OB 低栅极电荷/

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.095Ω/Ohm @1.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation350mW/0.35W
Description & ApplicationsThe AO7400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V, in the small SOT323 footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and low current DC-DC converters.
描述与应用该AO7400采用了先进的的的Trench技术来 提供优良的的RDS(ON) 低栅极电荷和 与的栅极电压作为低为2.5V的操作,在 小的SOT323的足迹。它可以被用来的为,内容广泛且具有 各种应用程序,包括负载开关,低的 当前的的逆变器和低的电流的的DC-DC转换器
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