BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 15V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 830mW/0.83W |
| Description & Applications | TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes |
| 描述与应用 | 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管 |
| 规格书PDF |
