BSL211SP P沟道场效应管 -20V -4.7A SOT163 MARKING PB 增强模式 OptiMOS-P小信号晶体管
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | ±12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -4.7A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.6v~-1.2v |
| 耗散功率PdPower Dissipation | |
| Description & Applications | * OptiMOS -P Small-Signal-Transistor. * P-Channel. * Enhancement mode. * Super Logic Level (2.5 V rated). * 150°C operating temperature. * Avalanche rated. * dv/dt rated. |
| 描述与应用 | * OptiMOS-P小信号晶体管。 * P-通道。 * 增强模式。 * 超级逻辑电平（2.5 V额定）。 * 150°C的工作温度。 * 额定雪崩。 * dv / dt的评级。 |
| 规格书PDF |
