BSP297 N沟道MOSFET 200V 650mA/0.65A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP297 射频应用
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 14V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 650mA/0.65A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2Ω/Ohm @650mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.8W |
| Description & Applications | • N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V |
| 描述与应用 | •N通道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=0.8 ...2.0V |
| 规格书PDF |
