BSS64TA N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 U3 增强模式/逻辑电平
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100MA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20~80 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 330MW |
| Description & Applications | NPN high-voltage transistor. * Low current (max. 100 mA). * High voltage (max. 80 V). * High-voltage general purpose and switching applications. * Intended for application in thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | NPN高压晶体管。 *低电流（最大100 mA）。 *高电压（最大80 V）。 *高电压通用开关应用。 *拟申请在厚薄膜电路。 |
| 规格书PDF |
