CES2302 N沟道MOSFET 20V 3A SOT-23/SC-59 marking/标记 23 密度电池设计极低的RDS
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8v |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.072Ω/Ohm 3.6A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | 20V, 3.0A, RDS(ON)= 72mW @VGS = 4.5V. RDS(ON)= 110mW @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable. SOT-23 package. |
| 描述与应用 | 20V，3.0A， RDS（ON）=72MW@ VGS= 4.5V。 RDS（ON）=110mW的@ VGS=2.5V。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固，可靠。 SOT-23封装 |
| 规格书PDF |
