EMD10 复合带阻尼三极管 50V 0.1A 250MHZ R1=2.2KΩ R2=47KΩ SOT-563/EMT6 标记D10 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100MA |
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V |
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA |
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 2.2KΩ |
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 0.0468 |
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 2.2KΩ |
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 0.0468 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 | |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 | 250MHZ/250MHZ |
耗散功率Pc Power Dissipation | 0.15W |
Description & Applications | |
描述与应用 |
NPN+PNP晶体管(每个都有两个内置电阻)
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规格书PDF |