EMD12 NPN+PNP复合带阻尼三极管 40V/-10V 100mA/-100mA 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记D12 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 | -50V/50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 | -50V/50V |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 | -100mA/100mA |
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm |
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm |
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 |
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm |
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm |
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
耗散功率Pc Power Dissipation | 150mW/0.15W |
Description & Applications | Features •Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors •Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT package. |
描述与应用 | 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 •两个DTA144E一个EMT或UMT包的DTC144E |
规格书PDF |