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EMD5 复合带阻尼三极管 50V 0.1A 150mW SOT-563/EMT6 标记D5 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 −50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 -50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 -100mA/100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 4.7KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.47
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)  
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/120mW
Description & Applications Features •Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors •Both the DTA143X chip and DTC144E chip in an EMT6 or UMT6 package. •Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. •Mounting cost and area can be cut in half.
描述与应用 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 •两个DTA143X的芯片和芯片的EMT6或UMT6的包DTC144E。 •安装可能EMT3或UMT3自动的安装机器。 •晶体管元素是独立的,消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半。
规格书PDF
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