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FDC653N N沟道MOSFET 30V 5A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 653K 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.035Ω/Ohm @5999mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.6W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 10 V RDS(ON)= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •高功率和电流处理能力
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