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FDT434P P沟道MOS场效应管 -20V -6A 0.040ohm SOT-223 marking/标记 D434AF

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.040Ω @-6A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1V
耗散功率PdPower Dissipation3W
Description & Applications• Low gate charge (5nC typical). • Fast switching speed. •High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability.
描述与应用•低栅极电荷(典型5NC)。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS(ON) •高功率和电流处理能力
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