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GN1010-Q MESFET-N沟道 6V 15mA-30mA SOT-143 marking/标记 5AQ 高频应用/低噪音

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current15mA-30mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsGaAs N-Channel MES For high-output high-gain amplification General-use wide-band amplifier Low noise With bandwidth control pin
描述与应用砷化镓N沟道MES 用于高输出的高增益放大 一般使用的宽带放大器 低噪音 随着带宽控制引脚
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