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H2N7002XIT1 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 025Y 负荷开关/电源管理/低栅极电荷

型号：H2N7002XIT1
标记/丝印/代码/打字：025Y
厂家：HI-SINCERITY
批号：05+
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	2.5v
最大漏极电流Id Drain Current	200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2.8Ω/Ohm 50mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.375V
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications	N-Channel MOSFET (60V, 0.2A)
描述与应用

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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