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HAF2025-91STL N沟道MOSFET 60V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 F2025 极低的RDS/负荷开关/电源管理

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage16V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm @7.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.4-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation40W
Description & Applications• Logic level operation (4 to 6 V Gate drive) • High endurance capability against to the short circuit • Built–in the over temperature shut–down circuit • Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)
描述与应用•逻辑电平操作(4至6 V栅极驱动器) •高续航能力,对短路 •内置过温关断电路 •闭锁类型关机操作(需要0电压恢复)
规格书PDF
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