HAT2206C-EL-E N 沟道场效应管 12V 2A SOT363 代码 VW 低导通电阻 驱动电流低
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V) |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power dissipation |
0.83W/830MW |
| 描述与应用 Description & Applications |
硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管
电源转换装置
低导通电阻
RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V)
驱动电流低。
高密度安装
1.8 V门驱动装置。
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| 规格书PDF |
