HN4A06J PNP+PNP复合三极管 -120V -100mA HEF=200~700 SOT-153/SMV 标记53 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-0.1A |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~700 |
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.3V |
耗散功率Pc Power Dissipation |
0.3W |
描述与应用 Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延型(PCT工艺)•高电压:VCEO=120V•高HFE:HFE=200〜700•优秀的HFE线性:HFE(IC=-0.1毫安的)/ HFE(IC=-2毫安,)= 0.95(典型值)•音频通用放大器应用 |
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